[发明专利]GaN基器件欧姆接触电极的制备方法有效
| 申请号： | 201810166841.8 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108597997B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 谭永亮;吕鑫;赵红刚;胡泽先;崔玉兴;付兴昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，该方法包括以下步骤：在器件的上表面生长第一介质层；在所述第一介质层与欧姆接触电极区对应的区域和所述器件的所述欧姆接触电极区注入硅离子和/或铟离子；在所述第一介质层的上表面生长第二介质层；通过高温退火工艺激活所述硅离子和/或所述铟离子，形成N型重掺杂；分别去除所述第一介质层和所述第二介质层与所述欧姆接触电极区对应的部分；在所述器件的所述欧姆接触电极区的上表面生长金属层，形成欧姆接触电极。本发明制备的欧姆接触电极能够保证金属层表面平整、边缘光滑整齐，器件击穿电压稳定、可靠性和寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 欧姆 接触 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基器件欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在器件的上表面生长第一介质层；步骤S2：在所述第一介质层与欧姆接触电极区对应的区域和所述器件的所述欧姆接触电极区注入硅离子和/或铟离子；步骤S3：在所述第一介质层的上表面生长第二介质层；步骤S4：通过高温退火工艺激活所述硅离子和/或所述铟离子，形成N型重掺杂；步骤S5：分别去除所述第一介质层和所述第二介质层与所述欧姆接触电极区对应的部分；步骤S6：在所述器件的所述欧姆接触电极区的上表面生长金属层，形成欧姆接触电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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