[发明专利]GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片在审
| 申请号： | 201810166863.4 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108389804A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王川宝;李亮;王强栋;马杰;付兴中;崔玉兴 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片，该方法包括：在GaN芯片的背面生长第一金属；在所述第一金属层的表面生长Au金属层；在所述Au金属层与待烧结区域对应的区域的表面生长Au/Sn合金层；通过Au/Sn烧结工艺进行烧结。本发明能够减少烧结过程中产生的空洞，降低器件的整体热阻和工艺成本，简化工艺步骤，提高生产效率和产品的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 表面生长 金属层 半导体技术领域 简化工艺步骤 第一金属层 工艺成本 降低器件 烧结工艺 烧结过程 烧结区域 生产效率 合金层 热阻 背面 空洞 金属 生长 | ||
【主权项】：
1.一种GaN芯片的烧结方法，其特征在于，包括：在GaN芯片的背面生长第一金属；在所述第一金属层的表面生长Au金属层；在所述Au金属层与待烧结区域对应的区域的表面生长Au/Sn合金层；通过Au/Sn烧结工艺对生长Au/Sn合金层后的GaN芯片进行烧结。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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