[发明专利]GaN HEMT器件的通孔制备方法在审

专利信息
申请号: 201810168894.3 申请日: 2018-02-28
公开(公告)号: CN108336021A 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: 宋洁晶;谭永亮;胡多凯;李飞;周国;崔玉兴 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/335
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 郝伟
地址: 050051 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明适用于半导体技术领域,提供了一种GaN HEMT器件的通孔制备方法,该方法包括:在晶圆的势垒层的上表面生长介质层;其中,所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层;去除所述介质层与第一通孔区对应的部分,露出势垒层,形成一个第一通孔;在形成第一通孔后的所述晶圆的源电极区制作正面源电极;依次去除所述SiC衬底与第二通孔区对应的部分、所述GaN外延层与第二通孔区对应的部分和所述势垒层与第二通孔区对应的部分,形成一个第二通孔;在所述SiC衬底的下表面和所述第二通孔的侧壁和顶壁上均生长第一金属层,所述第一金属层与所述正面源电极相连本发明能够精确控制通孔尺寸,提高通孔刻蚀工艺的一致性和稳定性。
搜索关键词: 通孔 势垒层 通孔区 源电极 衬底 晶圆 第一金属层 上表面 去除 制备 半导体技术领域 一致性和稳定性 衬底上表面 刻蚀工艺 生长介质 介质层 下表面 侧壁 顶壁 生长 制作
【主权项】:
1.一种GaN HEMT器件的通孔制备方法,其特征在于,包括:在晶圆的势垒层的上表面生长介质层;其中,所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层;去除所述介质层与第一通孔区对应的部分,露出势垒层,形成一个第一通孔;在形成第一通孔后的所述晶圆的源电极区制作正面源电极;其中,所述源电极区包含所述第一通孔区;依次去除所述SiC衬底与第二通孔区对应的部分、所述GaN外延层与第二通孔区对应的部分和所述势垒层与第二通孔区对应的部分,形成一个第二通孔;其中,所述第二通孔区包含所述第一通孔区;在所述SiC衬底的下表面和所述第二通孔的侧壁和顶壁上均生长第一金属层,所述第一金属层与所述正面源电极相连。
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