[发明专利]一种硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810169404.1 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108400207B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 杨青 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/22 |
| 代理公司： | 33224 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管，包括p型硅衬底，p型硅衬底的表面具有间隔分布的凸齿结构和阳极；还包括阴极和n型硫化镉纳米带，n型硫化镉纳米带的两端分别搭接凸齿结构和阴极，通过p型硅衬底与n型硫化镉纳米带复合形成p‑n异质结。本发明公开了一种硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管的制备方法。本发明通过在硅衬底上刻蚀梳齿状结构，有效降低了衬底对可见光波段的吸收，在硫化镉纳米带中形成稳定高效的法珀腔，提高了辐射光的输出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化镉纳米 衬底 发光二极管 硅基异质结 纳米带 阴极 凸齿结构 可见光波段 梳齿状结构 间隔分布 输出效率 阳极 法珀腔 辐射光 硅衬底 异质结 搭接 刻蚀 制备 复合 吸收 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管，其特征在于，包括p型硅衬底，p型硅衬底的表面具有间隔分布的凸齿结构和阳极；/n还包括阴极和n型硫化镉纳米带，n型硫化镉纳米带的两端分别搭接凸齿结构和阴极，通过p型硅衬底与n型硫化镉纳米带复合形成p-n异质结。/n
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