[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810170646.2 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109449160B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 塩田伦也;藤田淳也;西本健郎;福住嘉晃;福本敦之;永野元 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B69/00 | 分类号： | H10B69/00;H10B53/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种获得稳定的电特性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：硅层，包含磷；嵌入层，设置在硅层上；积层体，设置在嵌入层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个电极层；半导体主体，在积层体内及嵌入层内沿积层体的积层方向延伸，且具有位于嵌入层的侧方的侧壁部；以及硅膜，设置在嵌入层与半导体主体的侧壁部之间，包含硅作为主成分，还包含锗及碳中的至少任一个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：硅层，包含磷；嵌入层，设置在所述硅层上；积层体，设置在所述嵌入层上，且具有隔着绝缘体而积层的多个电极层；半导体主体，在所述积层体内及所述嵌入层内沿所述积层体的积层方向延伸，且具有位于所述嵌入层的侧方的侧壁部；以及硅膜，设置在所述嵌入层与所述半导体主体的所述侧壁部之间，包含硅作为主成分，且还包含锗及碳中的至少任一个。
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