[发明专利]半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201810171607.4 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108538824B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 折笠诚;清家英之;堀川雄平;阿部寿之 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，将具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起的半导体芯片层叠多片而得到半导体芯片。其中，具备在惰性气氛内使还原性气体流入配置有半导体芯片的空间内，并以微凸起的熔点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置有压力赋予部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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