[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201810172472.3 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108417582B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 津野仁志;永泽耕一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84;H05B33/10;H05B33/22;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本显示装置包括：栅极绝缘膜(130)、晶体管部分(100)，晶体管部分(100)具有半导体层(140)和栅电极层(120)，半导体层层叠在绝缘膜上，栅电极膜层叠在栅极绝缘膜的与半导体层相反侧上；第一电容器部分(200)，其具有第一金属膜(210)和第二金属膜(220)，第一金属膜设置在与配线层(161、162)相同的层级，配线层(161、162)电连接到半导体层且设置在晶体管部分之上，第二金属膜(220)设置在第一金属膜之上，第一金属膜(210)和第二金属膜(220)之间具有第一层间绝缘膜(152)；以及显示元件，构造为由晶体管部分控制。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，包括：晶体管部分，其包括栅极绝缘膜、半导体层和栅电极层，该半导体层层叠在该栅极绝缘膜上，该栅电极层叠在该栅极绝缘膜的该半导体层的相反侧；第一电容器部分，包括第一金属膜和第二金属膜，该第一金属膜设置在与配线层相同的层级，该配线层电连接至该半导体层且设置在该晶体管部分之上，该第二金属膜设置在该第一金属膜之上，该第一金属膜和该第二金属膜之间具有第一层间绝缘膜；以及显示元件，构造为由该晶体管部分控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
