[发明专利]半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201810172586.8 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108538726B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 折笠诚;清家英之;堀川雄平;阿部寿之 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，该半导体芯片具有基板、形成于基板上的导电部、形成于导电部的微凸起，其中，该制造方法具备在微凸起上形成平滑面的平滑面形成工序，平滑面形成工序具备对配置有半导体芯片的空间在惰性气氛内使还原性气体流入，并以微凸起的融点以上的温度进行加热的加热工序，在加热工序中，在微凸起上载置压力赋予部件，压力赋予部件的主面中与微凸起相接的主面为平面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片的制造方法，其中，所述半导体芯片具有基板、形成于所述基板上的导电部和形成于所述导电部的微凸起，所述制造方法具备在所述微凸起上形成平滑面的平滑面形成工序，所述平滑面形成工序具备对配置有所述半导体芯片的空间在惰性气氛内使还原性气体流入，并以所述微凸起的融点以上的温度进行加热的加热工序，在所述加热工序中，在所述微凸起上载置压力赋予部件，所述压力赋予部件的主面中与微凸起相接的主面为平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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