[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置，具备：第1半导体层；第2半导体层；第3半导体层，漏极电极，源极电极，导通电极，处于第2半导体层的与有第3半导体层的一侧相反侧，具有贯通第2半导体层及所述第3半导体层的第2凸部分，其前端位于第1半导体层的内部；栅极电极，处于第2半导体层的与有第3半导体层的一侧相反侧，处于源极电极与导通电极间；第1绝缘层，处于栅极电极与第2半导体层间，第1半导体层包括：第1区域，为第1导电类型；第2区域，处于第1区域与漏极电极间且为第2导电类型；第3区域，处于导通电极的第2凸部与第1区域间且为第2导电类型；第4区域，处于第3半导体层与第1区域之间，处于源极电极与导通电极间且为第1导电类型。

主权项

1.一种半导体装置，具备：第1半导体层，是碳化硅；第2半导体层，是氮化物半导体；第3半导体层，与所述第2半导体层相接，处于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，且是氮化物半导体；漏极电极，处于所述第1半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧；源极电极，处于所述第2半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧，并且具有第1凸部，所述第1凸部贯通所述第2半导体层以及所述第3半导体层的各个半导体层，所述第1凸部的前端位于所述第1半导体层的内部；导通电极，处于所述第2半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧，并且具有第2凸部，所述第2凸部贯通所述第2半导体层以及所述第3半导体层的各个半导体层，所述第2凸部的前端位于所述第1半导体层的内部；栅极电极，处于所述第2半导体层的与存在所述第3半导体层的一侧相反的一侧，并且处于所述源极电极与所述导通电极之间；以及第1绝缘层，处于所述栅极电极与所述第2半导体层之间，所述第1半导体层包括：第1区域，是第1导电类型；第2区域，处于所述第1区域与所述漏极电极之间，且是第1导电类型；第3区域，处于所述导通电极的所述第2凸部与所述第1区域之间，且是第1导电类型；以及第4区域，处于所述第3半导体层与所述第1区域之间，并且处于所述源极电极与所述导通电极之间，且是第2导电类型。