[发明专利]一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统有效
| 申请号： | 201810173416.1 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108416838B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 任博;黄家辉;胡事民 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | G06T17/00 | 分类号： | G06T17/00 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人： | 张耀 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统，该生长模拟方法利用本发明提供的系统，采用相场理论，通过引入分子方向场的计算，能够高效地生成具有任意对称性与不同程度对称破缺外观的晶体，并能实现在任意弯曲表面与三维情形下的晶体生长。本方法同时提供了灵活的对晶体生长的艺术控制手段。本发明具有较强的实用性，能够为结晶的生长模拟提供多样化而高效的解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 理论 进行 二维 三维 晶体生长 模拟 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法，其特征在于：第1：随机初始化模拟场景内的分子方向场，并设置固体生长初始点及其分子方向；第2：利用一种基于相场理论的晶体生长模型，计算固液两相在相变过程中导致的相场变化，从而获得相变的模拟；第3：利用一种基于相场理论的晶体生长模型，计算在上述相变过程中分子方向场的变化，从而获得具有任意对称性与对称破缺特性的晶体形状；第4：在第2步中，选择性进行艺术控制，包括人为设计分子方向场的当前状态与初值等手段；第5：利用一种基于相场理论的晶体生长模型，计算在上述过程中的温度场变化；第6：从最终获得的相场，恢复出可供渲染的二维与三维晶体的三角网格模型。
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