[发明专利]III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201810174097.6 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN108281378B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二;八乡昭广;广村友纪;松本直树;中畑成二;中西文毅;柳泽拓弥;上松康二;关裕纪;山本喜之;善积祐介;三上英则 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差s |
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| 搜索关键词： | iii 氮化物 复合 衬底 半导体器件 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物复合衬底，所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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