[发明专利]光学邻近校正方法及掩膜版的制作方法有效
申请号: | 201810175082.1 | 申请日: | 2018-03-02 |
公开(公告)号: | CN110221514B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 杨青 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛异荣;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光学邻近校正方法及掩膜版的制作方法,光学邻近校正方法包括:若第一边缘误差在第一阈值范围外,第二边缘放置误差在第一阈值范围外,第三边缘放置误差在第二阈值范围外或第四边缘放置误差在第二阈值范围外,则根据第一光学邻近校正模型对第一底部中间修正图形进行修正且对第二底部中间修正图形进行修正,直至第一边缘放置误差和第二边缘放置误差均在第一阈值范围内且第三边缘放置误差和第四边缘放置误差均在第二阈值范围内。所述方法提高了第一修正图形和第二修正图形正的精度。 | ||
搜索关键词: | 光学 邻近 校正 方法 掩膜版 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种光学邻近校正方法,其特征在于,包括:提供第一目标光刻掩膜图形和第二目标光刻掩膜图形,第一目标光刻掩膜图形具有第一底部图形和第一顶部图形,第二目标光刻掩膜图形具有第二底部图形和第二顶部图形,第一目标光刻掩膜图形和第二目标光刻掩膜图形重合的区域为重叠目标图形,所述重叠目标图形具有第三顶部图形和第三底部图形;提供第一光学邻近校正模型和第二光学邻近校正模型;根据第一光学邻近校正模型,对第一底部图形进行修正,得到第一底部中间修正图形,对第二底部图形进行修正,得到第二底部中间修正图形;根据第一光学邻近校正模型,对第一底部中间修正图形进行模拟曝光,得到第一底部模拟图形,对第二底部中间修正图形进行模拟曝光,得到第二底部模拟图形;根据第一底部模拟图形和第二底部模拟图形获取对应第三底部图形的第三底部模拟图形;根据第二光学邻近校正模型,对第一底部中间修正图形进行模拟曝光,得到第一顶部模拟图形,对第二底部中间修正图形进行模拟曝光,得到第二顶部模拟图形;根据第一顶部模拟图形和第二顶部模拟图形获取对应第三顶部图形的第三顶部模拟图形;获取第一底部模拟图形和第一底部图形之间的第一边缘放置误差、第二底部模拟图形和第二底部图形之间的第二边缘放置误差、第三底部模拟图形和第三底部图形之间的第三边缘放置误差、以及第三顶部模拟图形和第三顶部图形之间的第四边缘放置误差;若第一边缘误差在第一阈值范围外,或第二边缘放置误差在第一阈值范围外,或第三边缘放置误差在第一阈值范围外,或第四边缘放置误差在第二阈值范围外,则根据第一光学邻近校正模型,对第一底部中间修正图形进行修正,且对第二底部中间修正图形进行修正,直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内,且第四边缘放置误差在第二阈值范围内;当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均在第一阈值范围内,且第四边缘放置误差在第二阈值范围内时,将第一底部中间修正图形作为第一修正图形,将第二底部中间修正图形作为第二修正图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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