[发明专利]一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法

摘要

本发明提供了一种有机单晶微米带P‑N异质结阵列的生长方法。该方法包括：提供一基底，并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列；利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰，以获得光刻胶模板；将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带；将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶微米带P‑N异质结阵列。制备的微米带P‑N异质结阵列均为单晶材料，且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P‑N异质结。

主权项

1.一种有机单晶微米带P‑N异质结阵列的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基底，并对所述基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列，所述光刻胶阵列为间隔开布置的多个光刻胶条纹形成的阵列；利用疏水型的单分子层溶液对所述光刻胶阵列进行修饰，以获得具有亲疏水性的负性的光刻胶模板；将N型材料溶解在第一溶剂中，以获得N型材料的溶液，并将所述光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入所述N型材料的溶液中，直至所述光刻胶模板完全浸入所述N型材料的溶液后取出所述光刻胶模板，以在所述光刻胶模板上形成N型单晶材料，其中，所述竖向放置的方式为将所述光刻胶模板按照所述光刻胶条纹沿竖向方向延伸的方式放置；将P型材料溶解在第二溶剂中，以获得P型材料的溶液，并将形成有N型单晶材料的所述光刻胶模板按照所述竖向放置的方式浸入所述P型材料的溶液中，直至所述光刻胶模板完全浸入所述P型材料的溶液后取出所述光刻胶模板，以再在所述光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶P‑N结阵列；其中，所述N型材料选择成耐高温且仅在高于一预设温度时才溶解的N型材料，所述N型材料为苝酰二亚胺的衍生物；所述第一溶剂和所述第二溶剂具有不同的极性；所述第一溶剂选择成使得所述N型材料在常温下在难溶于所述第一溶剂，在温度高于预设温度时可溶于所述第一溶剂；所述第二溶剂选择成使得所述P型材料在常温下易溶于所述第二溶剂；所述P型材料为并五苯系列材料。