[发明专利]提高芯片内部基准电压值精度的校准系统及方法有效
申请号: | 201810177831.4 | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN110231510B | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 孙红新;顾晓红;赵海 | 申请(专利权)人: | 华润微集成电路(无锡)有限公司 |
主分类号: | G01R19/25 | 分类号: | G01R19/25 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高芯片内部基准电压值精度的校准系统及方法,其中该方法包括烧录器首先使待测芯片进入校准过程,其次该烧录器与半自动烧录机台相配合以检测该待测芯片的待校准电压值及接触电阻两端的电压差值,并进行该待测芯片的待校准电压值及接触电阻两端的电压差值的相减处理以得到与当前校准值相对应的该待测芯片的校准电压值,最后烧录器根据是否存在最佳校准电压值的判断结果以完成对待测芯片内部基准电压值的校准。 | ||
搜索关键词: | 提高 芯片 内部 基准 电压 精度 校准 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提高芯片内部基准电压值精度的校准系统,其特征在于,所述的系统包括烧录器和半自动烧录机台,所述半自动烧录机台与一待测芯片接触时产生一接触电阻,所述的烧录器和所述的半自动烧录机台相配合以对所述的待测芯片进行校准,且所述的烧录器通过增设一AD转换通道以测量所述接触电阻两端的电压差值,并通过消除所述接触电阻两端的电压差值以实现对所述待测芯片内部基准电压值的校准。
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