[发明专利]一种柔性透明过渡金属氧化物阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810178521.4 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN108470827A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 叶葱;张儒林;何品;韦晓迪;夏晴;张立 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212 | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种柔性透明过渡金属氧化物阻变存储器及其制备方法，所述存储器是由柔性基底、底电极、阻变层和顶电极组成的堆栈结构。其中，底电极为ITO、或FTO、或ZTO，阻变层为双层薄膜结构，材料为二元过渡金属氧化物HfO2、TiO2等材料，顶电极采用Pt、Au、W、Ti等惰性金属。本发明的优点是：该器件阵列具有高的透光率和优异的抗弯曲特性。本发明具有高介电常数、热稳定性好和宽禁带，结构简单，易于制备等特点。本发明的器件在弯曲后保持良好的读写性能，与弯曲前未有明显退化，在400nm～800nm的波长范围内其透光率大于94％。本发明中柔性透明阻变存储器符合信息领域柔性电子器件发展趋势和需求。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 金属氧化物 阻变存储器 透明过渡 顶电极 透光率 阻变层 过渡金属氧化物 透明阻变存储器 柔性电子器件 双层薄膜结构 高介电常数 抗弯曲特性 存储器 读写性能 堆栈结构 惰性金属 器件阵列 热稳定性 柔性基底 信息领域 底电极 宽禁带 波长 退化 | ||
【主权项】：
1.一种柔性透明过渡金属氧化物阻变存储器，依次由柔性衬底、底电极、阻变层和顶电极组成的堆栈结构；其特征在于，所述柔性衬底为聚合物聚萘二甲酸乙二醇酯，或者是聚对苯二甲酸乙二醇酯，或者是聚酰亚胺，所述底电极为氧化铟锡(ITO)，或者是氟掺氧化锡(FTO)，或者是锌掺氧化锡(ZTO)，或者是氮化钛(TiN)导电金属化合物，厚度为50～300nm；所述阻变层为双层二元过渡金属氧化物薄膜结构，厚度范围均为10～50nm；所述顶电极为铂(Pt)，或者是金(Au)、钨(W)、钛(Ti)、银(Ag)、铜(Cu)，厚度为100～300nm。
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