[发明专利]低频振荡电路及偏置电压和电流产生电路

摘要

本发明公开了一种低频振荡电路，由偏置电压和电流产生电路、振荡电路组成；所述偏置电压和电流产生电路由第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管～第四NMOS晶体管、第一电阻组成；所述振荡电路由第四PMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第一反相器、第一比较器、第二比较器、第一RS触发器、第一电容组成。本发明还公开了一种用于所述低频振荡电路的偏置电压和电流产生电路。本发明能够在不增加额外电路的情况下，使参考电流和参考电压同源。

主权项

1.一种低频振荡电路，其特征在于，由偏置电压和电流产生电路、振荡电路组成；所述偏置电压和电流产生电路由第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管～第四NMOS晶体管、第一电阻组成；第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，第一PMOS晶体管的栅极和漏极与第二PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为PB；第二PMOS晶体管的漏极与第三PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为PG；第三PMOS晶体管的漏极与第一电阻的一端、第一NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为NBR；第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的源极、第四NMOS晶体管的漏极相连接；电阻R1的另一端与第二NMOS晶体管的栅极、第三NMOS晶体管漏极和栅极、第四NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点记为NB；第三NMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的源极接地GND；所述振荡电路由第四PMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第一反相器、第一比较器、第二比较器、第一RS触发器、第一电容组成；第四PMOS晶体管的源极与电源电压端VDD相连接，其栅极与所述节点PG端相连接，其漏极与所述第一反相器的正电源端相连接；第五NMOS晶体管的漏极与所述第一反相器的负电源端相连接，其栅极与所述节点NB端相连接，其源极接地GND；所述第一反相器的输出端与第一比较器的反向输入端、第二比较器的正向输入端以及第一电容的一端相连接，其连接的节点记为VG，第一电容的另一端接地GND；第一比较器的正向输入端与所述节点NBR相连接，第二比较器的反向输入端与所述节点NB相连接；第一比较器的输出端与第一RS触发器的置位端S相连接，第二比较器的输出端与第一RS触发器的复位端R相连接，第一RS触发器的输出端Q与第一反相器的输入端相连接，其连接的节点记为Q。