[发明专利]LDMOS器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS器件的制造方法，包括步骤：步骤一、提供第一外延层；步骤二、依次形成第一氧化层、第二多晶硅层和第三氮化层，光刻定义出漂移区场氧的形成区域并将形成区域的第二氮化层去除并形成第一开口；步骤三、进行热氧化，第一开口中的第二多晶硅层被局部氧化形成形成漂移区场氧的主体部分；热氧化同时将第二多晶硅层底部的第一外延层氧化形成漂移区场氧的底部部分；之后，去除剩余的第三氮化层和第二多晶硅层；步骤四、在第一外延层的选定区域中形成漂移区；之后，去除第一氧化层；步骤五、形成栅极结构，形成LDMOS器件的体区，源区，漏区。本发明能提高器件的击穿电压，降低器件的导通电阻和关态漏电流。

主权项

1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供第二导电类型的第一外延层；步骤二、在所述第一外延层的表面依次形成第一氧化层、第二多晶硅层和第三氮化层，光刻定义出漂移区场氧的形成区域，将所述漂移区场氧的形成区域的所述第二氮化层去除并形成将所述第二多晶硅层表面暴露的第一开口；步骤三、进行热氧化，所述第一开口中的所述第二多晶硅层被局部氧化形成形成所述漂移区场氧的主体部分；所述热氧化同时将所述第二多晶硅层底部的所述第一外延层氧化形成所述漂移区场氧的底部部分；所述漂移区场氧由所述主体部分和所述底部部分叠加而成；之后，去除剩余的所述第三氮化层和所述第二多晶硅层；步骤四、采用第一导电类型离子注入工艺在所述第一外延层的选定区域中形成漂移区，所述漂移区场氧位于所述漂移区的部分区域中；之后，去除所述第一氧化层；步骤五、形成栅极结构，所述栅极结构包括叠加而成的栅介质层和多晶硅栅；形成LDMOS器件的体区，源区，漏区；所述底部部分在所述漂移区场氧的第一侧形成一个鸟嘴使得所述栅介质层和所述漂移区场氧的第一侧的鸟嘴接触，降低所述栅介质层和所述漂移区场氧接触处的电场强度，提高关态击穿电压；所述主体部分用于在保证所述漂移区场氧的总厚度保持不变的条件下减少所述底部部分的厚度，从而减少所述漂移区场氧的底部和所述第一外延层表面之间的距离，用以降低器件的导通电阻。