[发明专利]极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法有效
| 申请号： | 201810179912.8 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110230102B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘宗亮;徐科;任国强;王建峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/40;C30B9/12 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，包括：于氮化镓衬底上设置图形化掩膜；以所述氮化镓衬底作为籽晶，利用液相外延方法生长获得低位错密度氮化镓单晶；对所述低位错密度氮化镓单晶进行位错选择腐蚀，并对腐蚀区域进行填埋处理，获得包含有填埋物的氮化镓单晶，再以包含有填埋物的氮化镓单晶作为籽晶，利用液相外延方法生长获得极低位错密度氮化镓单晶。较之现有技术，本发明可以基于助熔剂法液相外延生长工艺，利用两步法获得极低位错密度氮化镓单晶，工艺简单易操作，成本低廉，可以实现极低位错密度氮化镓单晶的大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 低位 密度 氮化 镓单晶 及其 熔剂 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，其特征在于包括：于氮化镓衬底上设置图形化掩膜；以所述氮化镓衬底作为籽晶，利用液相外延方法生长获得低位错密度氮化镓单晶；对所述低位错密度氮化镓单晶进行位错选择腐蚀，并对腐蚀区域进行填埋处理，获得包含有填埋物的氮化镓单晶；以及以包含有填埋物的氮化镓单晶作为籽晶，利用液相外延方法生长获得极低位错密度氮化镓单晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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