[发明专利]图像传感器及传感器装置

摘要

本发明涉及一种图像传感器及传感器装置。该图像传感器包括以矩阵设置的多个像素，每个像素包括：第一TFT，该第一TFT具有设置在衬底上的第一栅电极和第二栅电极；第二TFT；以及光电转换元件，该光电转换元件具有电连接到a‑Si薄膜的第一表面和第一TFT的第二栅电极的第一电极、以及连接到第二控制线的第二电极，并且光电转换元件以在层叠方向上叠置在第一TFT上的方式设置在第一TFT上方。设置气体阻隔膜，其位于第一TFT、第二TFT与光电转换元件之间，并防止氢气渗透到第一TFT和第二TFT，第一电极和第二栅电极由同一层构成，在各像素中气体阻隔膜上未设置开口。

主权项

1.一种图像传感器，包括以矩阵设置的多个像素，每个像素包括：衬底；第一TFT，所述第一TFT包括：设置在所述衬底上的第一栅电极、包括经由绝缘膜层叠在所述第一栅电极上方的氧化物半导体的第一半导体、层叠在所述第一半导体上的第一源电极和第一漏电极、以及设置在所述第一半导体上方的第二栅电极，其中，所述第一源电极电连接到所述第一栅电极，以及所述第一漏电极电连接到电源线；第二TFT，所述第二TFT包括：在所述衬底上的由与所述第一栅电极相同的层构成的第三栅电极、包括经由所述绝缘膜层叠在所述第三栅电极上方并由与所述第一半导体相同的层构成的氧化物半导体的第二半导体、以及层叠在所述第二半导体上的第二源电极和第二漏电极，其中，所述第二漏电极电连接到所述第一栅电极，所述第二源电极电连接到信号线，以及所述第三栅电极电连接到第一控制线；以及光电转换元件，所述光电转换元件包括：a‑Si薄膜、电连接到所述a‑Si薄膜的第一表面和所述第一TFT的所述第二栅电极的第一电极、以及连接到第二控制线的第二电极，并且所述光电转换元件以在层叠方向上叠置在所述第一TFT上的方式设置在所述第一TFT上方，其中，设置位于所述第一TFT以及所述第二TFT与所述光电转换元件之间并防止氢气扩散到所述第一TFT和所述第二TFT的气体阻隔膜，所述第一电极和所述第二栅电极由同一层构成，以及在每个所述像素中所述气体阻隔膜未设置有开口。