[发明专利]LED器件外延结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810181170.2 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108428773A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 沈学如 | 申请（专利权）人： | 澳洋集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人： | 马丽丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED器件外延结构，包括依次形成于衬底上的未掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂的GaN层，所述电子阻挡层包括依次叠加的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层为Al组分自下向上渐变增加的AlxGa1‑xN层，0＜x≤0.15，所述第二阻挡层为Al0.15Ga0.85N层。本申请还公开了一种LED器件外延结构的制作方法。本发明的电子阻挡层，通过Al组分的渐变设计，可以大大增加量子阱有源区的空穴浓度，增强电子约束能力，减小电子阻挡层和量子阱层之间的极化效应。 | ||
| 搜索关键词： | 电子阻挡层 阻挡层 外延结构 渐变 空穴 量子阱有源区 多量子阱层 极化效应 量子阱层 依次叠加 约束能力 未掺杂 衬底 减小 制作 申请 | ||
【主权项】：
1.一种LED器件外延结构，其特征在于，包括依次形成于衬底上的未掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂的GaN层，所述电子阻挡层包括依次叠加的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层为Al组分自下向上渐变增加的AlxGa1‑xN层，0＜x≤0.15，所述第二阻挡层为Al0.15Ga0.85N层。
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