[发明专利]用于EUV光刻的防护膜及其制造方法有效
申请号: | 201810182229.X | 申请日: | 2018-03-06 |
公开(公告)号: | CN108572511B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 南基守;李昌焄;洪朱憙;朴铁均 | 申请(专利权)人: | 思而施技术株式会社 |
主分类号: | G03F1/48 | 分类号: | G03F1/48;G03F1/22;G03F1/80;G03F1/76 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 樊晓焕;金小芳 |
地址: | 韩国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了极紫外(EUV)光刻用防护膜及其制造方法,该防护膜的EUV曝光光线的透过率优异,且具有优异的机械强度。该防护膜包括支撑层图案;形成在所述支撑层图案上的埋入式氧化物层图案;以及由所述埋入式氧化物层图案支撑的防护膜层。该防护膜还可以包括用于增强防护膜层的机械强度的增强层,用于额外补充增强层的机械强度的辅助层以及用于使防护膜层散热的散热层。 | ||
搜索关键词: | 用于 euv 光刻 防护 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种极紫外(EUV)光刻用防护膜,该防护膜包括:支撑层图案;形成在所述支撑层图案上的埋入式氧化物层图案;和设置为由所述埋入式氧化物层图案支撑的防护膜层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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