[发明专利]一种硒化铜纳米颗粒局域表面等离激元的调控方法在审
| 申请号： | 201810184872.6 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN110228795A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 欧玮辉;姜江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B82Y40/00;G01N27/416 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;吕颖 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硒化铜纳米颗粒局域表面等离激元的调控方法，其包括下述步骤：S1、制备Cu2‑xSe溶液，作为涂覆液；S2、将涂覆液涂覆在导电基板上，使Cu2‑xSe附着在导电基板上形成Cu2‑xSe膜；S3、以具有Cu2‑xSe膜的导电基板作为工作电极，以含锂溶液作为电解质，构建三电极体系；S4、将三电极体系电连接至电化学工作站上，以控制锂离子在Cu2‑xSe中的脱嵌，同时原位监测Cu2‑xSe膜在750nm～1500nm下的吸收值；在‑1.0V～‑1.2V下，锂离子嵌入至Cu2‑xSe内，LSPR消失，在‑0.4V～‑0.2V下，锂离子从Cu2‑xSe中脱出，LSPR恢复。根据本发明的调控方法，通过在还原电位下嵌入锂离子减少空穴载流子浓度，降低LSPR吸收直至消失，而在氧化电位下脱出锂离子，增加载流子浓度恢复LSPR，从而实现了对Cu2‑xSe的LSPR动态、精准和可逆调控。 | ||
| 搜索关键词： | 锂离子 导电基板 三电极体系 调控 等离激元 局域表面 纳米颗粒 涂覆液 硒化铜 脱出 嵌入 载流子 电化学工作站 电解质 空穴载流子 工作电极 含锂溶液 还原电位 氧化电位 原位监测 电连接 可逆 附着 构建 涂覆 脱嵌 吸收 制备 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种硒化铜纳米颗粒局域表面等离激元的调控方法，其特征在于，包括步骤：S1、制备硒化铜纳米颗粒溶液，作为涂覆液；S2、将所述涂覆液涂覆在导电基板上，使所述硒化铜纳米颗粒附着在所述导电基板上形成硒化铜颗粒膜；S3、以具有所述硒化铜颗粒膜的导电基板作为工作电极，以含锂溶液作为电解质，构建三电极体系；S4、将所述三电极体系电连接至电化学工作站上，以控制锂离子在所述硒化铜纳米颗粒中的脱嵌，同时原位监测所述硒化铜颗粒膜在750nm～1500nm下的吸收值；其中，当工作电压‑1.0V～‑1.2V时，所述锂离子嵌入至所述硒化铜纳米颗粒内，所述硒化铜纳米颗粒的局域表面等离激元消失，当工作电压为‑0.4V～‑0.2V时，所述锂离子从所述硒化铜纳米颗粒中脱出，所述硒化铜纳米颗粒的局域表面等离激元恢复。
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