[发明专利]一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法有效

专利信息
申请号: 201810185955.7 申请日: 2018-03-07
公开(公告)号: CN110240483B 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 向道平;邢志恒 申请(专利权)人: 海南大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/63;C04B35/622;C04B38/06
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 罗啸秋
地址: 570228 海*** 国省代码: 海南;46
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摘要: 发明属于晶硅废砂浆二次利用技术领域,公开了一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法。本发明利用晶硅废砂浆固体废料为主要原料,通过较低温无压烧结,850℃下即可在碳化硅表面原位生长莫来石棒,进而制备出具有高气孔率和高强度的碳化硅多孔陶瓷,最终实现了晶硅废砂浆固体废料的二次利用和低成本制备碳化硅多孔陶瓷的目标。本发明充分利用资源,变废为宝;在使用传统烧结助剂的同时加入了催化剂,使得烧结温度大幅下降,从而减少了能源消耗和降低了制造成本。
搜索关键词: 一种 利用 晶硅废 砂浆 制备 碳化硅 多孔 陶瓷 方法
【主权项】:
1.一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)对晶硅废砂浆固体废料进行预处理,得到预处理后的固体废料;(2)向预处理后的固体废料中加入造孔剂、烧结助剂、催化剂,再经球磨混料、过筛,得到原料粉体;(3)向原料粉体中加入成型剂,混合均匀后置于模具中加压成型,干燥脱脂后得到多孔陶瓷生坯;(4)将多孔陶瓷生坯置于烧结炉中,在空气气氛下无压烧结,得到碳化硅多孔陶瓷制品。
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