[发明专利]一种二维超薄LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201810186373.0 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108963092B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡端俊;刘国振;郝卓然;陈航洋;孙飞鹏 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361001 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED器件及其制造方法，该LED器件为肖特基势垒的LED器件，二维材料作为势垒绝缘层，掺杂的二维半导体材料为有源层，这样，使得载流子可以在二维半导体材料的有源层发光，以此可以获得一种二维超薄柔性的LED器件，有助于提高器件的散热性、透光率以及使用寿命，提高LED器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二维半导体 二维 源层 载流子 势垒绝缘层 肖特基势垒 超薄柔性 二维材料 使用寿命 掺杂的 散热性 透光率 制备 发光 制造 | ||
【主权项】：
1.一种二维LED，其特征在于，包括：衬底；衬底上的有源层，所述有源层为n型或p型掺杂的二维半导体层，二维半导体层为原子层的半导体材料，所述有源层为掺Mg的p型六方氮化硼；所述有源层上的势垒绝缘层，所述势垒绝缘层为二维材料层，所述二维材料层的层数少于10层；所述势垒绝缘层上的电子注入层，所述电子注入层允许所述有源层产生的光线透过；与所述有源层电连接的第一电极，以及与所述电子注入层电连接的第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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