[发明专利]连接结构及其制造方法、半导体器件

摘要

本发明提供一种连接结构及其制造方法、半导体器件，在连接结构的制造方法中，首先形成包含金属凸块、第一介质层、第二介质层和导电层的子连接结构，并且可以将多个子连接结构进行连接形成连接结构，可以根据需要的连接结构的深度来设置子连接结构的数量，与现有技术中的接触孔或连接结构相比，本发明所提供的连接结构不受深宽比的影响，能够形成任意的深度，并且制作方法简单，便于实施。

主权项

1.一种连接结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底上形成有一第一介质层；形成多个规则排列的凹槽在所述第一介质层内，并且在所述凹槽内填充有金属材料，以形成多个金属凸块；形成一第二介质层在所述基底的所述第一介质层及所述金属凸块上，并且在所述第二介质层中形成有多个开口，所述开口暴露出所述金属凸块；填充一导电层在所述开口内，所述导电层与所述金属凸块连接；以及去除所述基底，并利用所述金属凸块、所述第一介质层、所述第二介质层和所述导电层构成子连接结构。