[发明专利]一种半导体晶体管结构

摘要

本发明提供一种半导体晶体管结构，该结构包括：半导体衬底、位于半导体衬底上的沟道、位于沟道上的栅极组件、位于栅极组件侧壁的侧壁隔离结构、分别位于沟道两端的源区和漏区、分别位于所述源区和漏区的晕环区、以及源、漏接触电极；其中侧壁隔离结构由栅极组件侧壁向外依次包括第一隔离层、第二隔离层以及第三隔离层；源区包括第一轻掺杂源区、第二轻掺杂源区以及重掺杂源区；漏区包括第一轻掺杂漏区、第二轻掺杂漏区以及重掺杂漏区。本发明有效改善了热电子效应及源漏穿通等漏电问题，并且简化制程使源漏注入区域屏蔽以接触窗结构作自对准注入。通过本发明提供的一种半导体晶体管结构，改善了现有技术中短沟道效应导致的种种问题。

主权项

1.一种半导体晶体管结构，其特征在于，包括：半导体衬底；沟道，位于所述半导体衬底之上；栅极组件，位于所述沟道之上，所述栅极组件包括栅氧层、位于所述栅氧层上的栅电极；侧壁隔离结构，位于所述栅极组件的侧壁，所述侧壁隔离结构由内向外依次包括第一隔离层、第二隔离层以及第三隔离层；源区和漏区，形成于所述半导体衬底中并分别位于所述沟道的两端，所述源区包括由所述沟道向外依次排布的第一轻掺杂源区、第二轻掺杂源区以及重掺杂源区，所述漏区包括由所述沟道向外依次排布的第一轻掺杂漏区、第二轻掺杂漏区以及重掺杂漏区；其中，所述第一隔离层之间的第一间隙界定所述第一轻掺杂源区与所述第一轻掺杂漏区的形成轮廓、所述第二隔离层之间的第二间隙界定所述第二轻掺杂源区与所述第二轻掺杂漏区的形成轮廓、以及所述第三隔离层之间的第三间隙界定所述重掺杂源区与所述重掺杂漏区的任一形成轮廓；晕环区，形成于所述半导体衬底中所述第一轻掺杂源区下方且位于所述第二轻掺杂源区靠近所述沟槽的一侧，及形成于所述第一轻掺杂漏区下方且位于所述第二轻掺杂漏区靠近所述沟槽的一侧；其中，所述晕环区的掺杂类型与所述半导体晶体管的沟道导电类型相反，以避免反穿通漏电流，防止源漏穿通；以及源接触电极和漏接触电极，分别设置于所述重掺杂源区和所述重掺杂漏区的上方。