[发明专利]二氧化硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810190973.4 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108447770B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 阮勇;尤政;范成林;刘通 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/44;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 刘诚 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种二氧化硅薄膜制备方法。首先，提供一硅衬底。其次，将所述硅衬底放入氧化炉内，所述氧化炉内的温度为1000℃‑1200℃。然后，向所述氧化炉内通入氧气，所述氧气流量为9slm/min‑10slm/min。向所述氧化炉中通入氧气4min‑6min后，向所述氧化炉内通入氢气并点火，所述氢气的流量为14slm/min‑14.6slm/min，在所述硅衬底表面形成第一二氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二氧化硅薄膜制备方法，包括：S100，提供一硅衬底(110)；S200，将所述硅衬底(110)放入氧化炉内，将所述氧化炉内的温度升温至反应温度，所述反应温度为1000℃‑1200℃；S300，向所述氧化炉内通入氧气，所述氧气的流量为9slm/min‑10slm/min；以及S400，向所述氧化炉中通入氧气4min‑6min后，向所述氧化炉内通入氢气并点火，所述氢气的流量为14slm/min‑14.6slm/min，在所述硅衬底(110)表面形成第一二氧化硅层(120)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
