[发明专利]硅单晶晶片、其制造方法以及检测缺陷的方法在审
| 申请号： | 201810193525.X | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN108441940A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 沈遇荣 | 申请（专利权）人： | LG矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06;C30B31/04;H01L21/322;H01L29/32 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张铮铮;姚开丽 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种硅单晶晶片。该硅单晶晶片包括被分成NiG区域和NIDP区域的IDP，其中，所述IDP区域为未检测到Cu基缺陷的区域，所述NiG区域为检测到Ni基缺陷的区域，以及所述NIPD区域为未检测到Ni基缺陷的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶晶片 检测 制造 | ||
【主权项】：
1.一种检测硅单晶晶片的方法，其中，所述方法包括：将Ni溶液涂覆在所述硅单晶晶片上；使Ni溶液与氧沉淀物结合以形成金属沉淀物，并且检测所述硅单晶晶片上的缺陷；其中，NIDP区域形成为由Ni溶液未检测到缺陷的区域；其中，所述缺陷为通过Ni溶液与所述硅单晶晶片的氧沉淀物结合所形成的金属沉淀物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG矽得荣株式会社，未经LG矽得荣株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810193525.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
