[发明专利]多晶黑硅PERC电池的抛光制绒工艺有效
申请号: | 201810194312.9 | 申请日: | 2018-03-09 |
公开(公告)号: | CN108447942B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 章圆圆;裴银强;史文龙;钱恩亮 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213300 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种多晶黑硅PERC电池的抛光制绒工艺,在链式设备中对多晶硅片进行先双面抛光再单面黑硅制绒。本发明能在制绒阶段制备出一面具有黑硅绒面、另一面具有抛光面的多晶硅片,使后续PERC结构的制备可直接在抛光面上进行,可省去制绒后的抛光步骤,省下制绒后的抛光设备和耗材,且增加产能。 | ||
搜索关键词: | 多晶 perc 电池 抛光 工艺 | ||
【主权项】:
1.多晶黑硅PERC电池的抛光制绒工艺,其特征在于,在链式设备中对多晶硅片进行先双面抛光再单面黑硅制绒;所述链式设备包括用于实施双面抛光的抛光槽,抛光槽内储有抛光液,多晶硅片以浸没方式通过抛光槽,完成双面抛光,在多晶硅片的顶面和底面分别形成抛光面;所述单面黑硅制绒为采用金属离子催化的湿法化学制绒,且通过控制多晶硅片单面附着金属离子来实施多晶硅片的单面黑硅制绒;所述链式设备包括用于实施多晶硅片单面附着金属离子的金属离子溶液储槽,金属离子溶液储槽内储有金属离子溶液,金属离子溶液储槽内还设有承载多晶硅片的滚轮,双面抛光的多晶硅片以滚轮带液方式通过金属离子溶液储槽,完成多晶硅片单面附着金属离子,即多晶硅片底面附着金属离子;底面附着金属离子的多晶硅片完成单面黑硅制绒后,多晶硅片的顶面仍为抛光面,多晶硅片的底面形成黑硅绒面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州时创能源股份有限公司,未经常州时创能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810194312.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:X光侦测器的像素电路及X光侦测器
- 下一篇:一种硅片清洗后简单有效的保存方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的