[发明专利]一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810194956.8 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108389956B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张倩;李孝芳;陈辰;曹峰;刘兴军 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/16 |
| 代理公司： | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人： | 黎健任 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其采用化学合成的方法，以2‑乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。采用本发明的技术方案，通过采用金属有机物2‑乙基己酸铋作为掺杂剂可以有效实现n型掺杂，获得在500℃时仍为稳定的n型导电的SnSe基热电材料；通过有效Bi掺杂，能够调控载流子浓度，从而优化SnSe基热电材料的功率因子，通过纳米化合成，能够增加声子散射，降低晶格热导率，从而优化其Z |
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| 搜索关键词： | 一种 snse 热电 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其特征在于：采用化学合成的方法，以2‑乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。
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