[发明专利]一种大面积金红石相SnO2 有效
申请号: | 201810195305.0 | 申请日: | 2018-03-09 |
公开(公告)号: | CN108389971B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 王浩;张凯;万经树;段金霞;张军 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 杨采良 |
地址: | 430062 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本发明涉及一种大面积金红石相SnO |
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搜索关键词: | 一种 大面积 金红石 sno base sub | ||
【主权项】:
1.一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法,其特征在于:所述方法具体包含如下步骤:(1)清洗基底:将合适大小的透明导电衬底采用半导体工艺清洗,然后经紫外臭氧处理后吹干备用;(2)配制四氯化锡(SnCl4)水溶液:将无水四氯化锡缓慢逐滴加入到去离子水中,搅拌均匀后,制得四氯化锡水溶液,所述四氯化锡水溶液的浓度为0.02M~0.7M;(3)制备SnO2薄膜:将步骤(1)所述清洗好的透明导电衬底放入培养皿中,然后向培养皿中加入步骤(2)所述配制好的四氯化锡水溶液,再将培养皿放入水浴锅中进行水浴加热,控制水浴温度为70℃,水浴时间为2h,使透明导电衬底表面沉积SnO2水溶胶;将表面沉积有SnO2水溶胶的透明导电衬底取出,用棉签清洗衬底背面,再依次用超声仪、去离子水、无水乙醇清洗处理,最后在低温条件下进行退火处理,从而在衬底上形成大面积金红石相SnO2薄膜样品,所述退火温度为70~200℃,退火时间为1h。
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