[发明专利]一种阵列基板的制造方法和阵列基板

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制造方法和阵列基板，该方法包括：提供一基板；在基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层和光刻胶层；对光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层；利用图案化的光刻胶层掩膜，对源漏电极层进行至少一次湿法刻蚀，对半导体层进行至少一次干法刻蚀；还包括执行至少一次光刻胶灰化步骤，光刻胶灰化步骤设置在湿法刻蚀和干法刻蚀的步骤之间；光刻胶灰化步骤中横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值的取值范围为1:0.9～1:1.5。本发明通过在湿法刻蚀和干法刻蚀步骤中设置光刻胶灰化步骤，并控制光刻胶灰化步骤中刻蚀速率，可以降低主动开关的漏电流以及提高主动开关的稳定性。

主权项

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个主动开关，所述阵列基板的制造方法包括：提供一基板；在所述基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏电极层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层；利用所述图案化的光刻胶层掩膜，对所述源漏电极层进行至少一次湿法刻蚀，以形成所述主动开关的源极和漏极，对所述半导体层进行至少一次干法刻蚀，以形成所述主动开关的沟道区；还包括执行至少一次光刻胶灰化步骤，所述光刻胶灰化步骤设置在所述湿法刻蚀和所述干法刻蚀的步骤之间；所述光刻胶灰化步骤中横向刻蚀速率与纵向刻蚀速率的比值的取值范围为1:0.9～1:1.5。