[发明专利]一种CVD方法制备多功能的镍掺杂二硫化钼原位电极有效
| 申请号： | 201810196377.7 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108517534B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黄妞;闫术芳;丁玉岳;孙小华;孙盼盼 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供一种多功能镍掺杂二硫化钼原位电极的CVD制备方法，将镍盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂，获得Ni‑Mo前躯液；上述前躯液涂布到基底上，干燥后放在Ar+S气氛中或N |
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| 搜索关键词： | 一种 cvd 方法 制备 多功能 掺杂 二硫化钼 原位 电极 | ||
【主权项】：
1.一种多功能镍掺杂二硫化钼原位电极的CVD制备方法，其特征在于，具体制备方法为：（1）将镍盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂，获得Ni‑Mo前躯液；（2）上述前躯液涂布到基底上，干燥后放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，CVD硫化。
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