[发明专利]一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置及其方法在审
申请号: | 201810199856.4 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN108385160A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 彭方;郭玉勇;王晓梅;马孙明 | 申请(专利权)人: | 安徽晶宸科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14;C30B15/20 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 230000 安徽省合肥市蜀*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置及其方法,一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置包括炉膛、氧化锆底座、氧化锆保温桶、盖板、金属环、坩埚和感应加热线圈,所述氧化锆底座安装在炉膛内,所述氧化锆保温桶安装在氧化锆底座上,氧化锆保温桶内设有固定槽,所述金属环安装在固定槽内,所述坩埚安装在氧化锆底座上其并与氧化锆保温桶接触。本发明通过在坩埚上方加入一个感应加热金属环,产生附加热场,从而调节提拉法晶体生长时的温场,可有效克服晶体生长中的孪晶、开裂等问题。 | ||
搜索关键词: | 氧化锆 提拉法晶体生长 保温桶 温场 感应加热 坩埚 底座 炉膛 固定槽 金属环 感应加热金属 感应加热线圈 底座安装 晶体生长 盖板 孪晶 热场 | ||
【主权项】:
1.一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置,包括炉膛(1)、氧化锆底座(2)、氧化锆保温桶(3)、盖板(4)、金属环(5)、坩埚(6)和感应加热线圈(7),其特征在于:所述氧化锆底座(2)安装在炉膛(1)内,所述氧化锆保温桶(3)安装在氧化锆底座(2)上,氧化锆保温桶(3)内设有固定槽(31),所述金属环(5)安装在固定槽(31)内,所述坩埚(6)安装在氧化锆底座(2)上并与氧化锆保温桶(3)接触。
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