[发明专利]贴合晶圆的制造方法以及贴合晶圆在审
| 申请号： | 201810201351.7 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108666259A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 石塚徹;田中纪通 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 技术问题：本发明提供一种贴合晶圆的制造方法，在将外延晶圆用于接合晶圆或者基底晶圆的情况下，能够制造平台宽度较小的贴合晶圆。解决手段：一种贴合晶圆的制造方法，该方法是从接合晶圆的表面离子注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子从而在晶圆内部形成离子注入层，直接或者隔着绝缘膜贴合所述接合晶圆的进行了离子注入的表面与基底晶圆的表面后，通过在所述离子注入层使接合晶圆剥离，从而来制造在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其中，作为所述接合晶圆和所述基底晶圆的至少一方而使用外延晶圆，并通过单晶圆旋转清洗来进行该外延晶圆的形成外延层前的清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 贴合 接合 基底晶 制造 离子注入层 氢离子 稀有气体离子 表面离子 晶圆技术 气体离子 旋转清洗 绝缘膜 外延层 薄膜 单晶 离子 清洗 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种贴合晶圆的制造方法，该方法是从接合晶圆的表面离子注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子并在晶圆内部形成离子注入层，直接或者隔着绝缘膜贴合所述接合晶圆的进行了离子注入的表面与基底晶圆的表面后，通过在所述离子注入层使接合晶圆剥离，从而来制造在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，其特征在于，作为所述接合晶圆和所述基底晶圆的至少一方而使用外延晶圆，并通过单晶圆旋转清洗来进行该外延晶圆的形成外延层前的清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
