[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底、凸出于衬底上的分立的鳍部和位于鳍部上的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，沟道叠层的数量为一个或多个，且鳍部和沟道层的材料为SiGe；形成横跨沟道叠层且覆盖沟道叠层部分顶部和部分侧壁的伪栅层；依次刻蚀伪栅层两侧的沟道叠层和鳍部，在沟道叠层内形成顶部凹槽，在鳍部内形成露出衬底且与顶部凹槽相贯通的底部凹槽；在底部凹槽中形成半导体层，半导体层的导热系数大于SiGe的导热系数；形成半导体层后，在顶部凹槽中形成掺杂外延层。本发明通过采用导热系数较高的半导体层代替伪栅层两侧的SiGe鳍部，从而改善自发热效应，进而改善PMOS晶体管的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、凸出于所述衬底上的分立的鳍部、以及位于所述鳍部上的沟道叠层，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层，所述沟道叠层的数量为一个或多个，且所述鳍部和沟道层的材料为SiGe；形成横跨所述沟道叠层的伪栅层，所述伪栅层覆盖所述沟道叠层的部分顶部和部分侧壁；依次刻蚀所述伪栅层两侧的沟道叠层和鳍部，在所述沟道叠层内形成顶部凹槽，在所述鳍部内形成露出所述衬底且与所述顶部凹槽相贯通的底部凹槽；在所述底部凹槽中形成半导体层，所述半导体层的导热系数大于SiGe的导热系数；形成所述半导体层后，在所述顶部凹槽中形成掺杂外延层。