[发明专利]用于对半导体元件进行键合的系统及方法有效
| 申请号： | 201810203587.4 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108573882B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | R·N·希拉克;D·A·迪安杰利斯;H·克劳贝格 | 申请（专利权）人： | 库利克和索夫工业公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/607;B23K20/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种对半导体元件进行超声键合的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将第一半导体元件的多个第一导电结构的表面与第二半导体元件的多个第二导电结构的相应表面对准；以及(b)将所示第一导电结构中的若干个导电结构超声键合至所述第二导电结构中相应的若干个导电结构。第一导电结构和第二导电结构中的至少一种导电结构的键合表面包括易碎涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 对半 导体 元件 进行 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对半导体元件进行超声键合的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将第一半导体元件的多个第一导电结构的表面与第二半导体元件的多个第二导电结构的相应表面对准，其中所述第一导电结构和所述第二导电结构中的至少一种导电结构的键合表面包括易碎涂层；以及(b)将所述第一导电结构中的若干个第一导电结构超声键合至所述第二导电结构中相应的若干个第二导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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