[发明专利]钙钛矿结构、应用其的电子装置、相关的光电转换层的制造方法有效

专利信息
申请号: 201810205710.6 申请日: 2018-03-13
公开(公告)号: CN108447996B 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 蔡旻锦;詹钧翔;李欣浤;范铎正;江啟圣;蔡庭玮 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42
代理公司: 北京市立康律师事务所 11805 代理人: 梁挥;孟超
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种钙钛矿结构,设置于一基板。钙钛矿结构包括多个晶粒。多个晶粒实质上具有介于3微米与5微米的范围内的尺寸。晶粒的材料为ABX3,其中A包括铯、甲胺、甲脒的其中至少一者,B包括铅、锡、和锗的其中至少一者,X包括氯、溴、和碘的其中至少一者。
搜索关键词: 钙钛矿 结构 应用 电子 装置 相关 光电 转换 制造 方法
【主权项】:
1.一种钙钛矿结构,设置于一基板,其特征在于,该钙钛矿结构包括:多个晶粒,该些晶粒具有介于3微米与5微米的范围内的尺寸,该些晶粒的材料为ABX3,其中A包括铯、甲胺、和甲脒的其中至少一者,B包括铅、锡、和锗的其中至少一者,X包括氯、溴、和碘的其中至少一者。
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