[发明专利]一种新型的具有较低漏电的多层结构

摘要

本发明通过构筑多层结构的过渡层来达到降低薄膜漏电流的目的。构筑的多层结构基底层选用Pt片，过渡层材料为Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈，薄膜层材料为BiFeO₃和Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈。一方面Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈材料本身具有较小的漏电特性，组成多层结构之后，阻断了载流子在BiFeO₃薄膜和Pt电极间的移动，使得比直接沉积在ITO上BiFeO₃薄膜的漏电流小；另一方面Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈和BiFeO₃两相的界面处特殊的接触状态，也抑制了薄膜载流子的运动，使得比直接沉积在ITO上BiFeO₃薄膜的漏电流小。

主权项

1.一种用于铁电存储器件的新型具有较低漏电的多层结构，其特征在于：它包括由下至上依次设置衬底层（1）、过渡层（2）、薄膜层（3），所述过渡层（2）材料为Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈，所述的薄膜层（3）材料为BiFeO₃和Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈。