[发明专利]缓冲器结构有效
| 申请号： | 201810207305.8 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110277337B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 段睿纮 | 申请（专利权）人： | 段睿纮 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 中国台湾南投*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种缓冲器结构，其主要是由一上壳部、一下壳部、至少一缓冲环部、以及一缓冲气室所组成，通过缓冲环部弹抵上壳部与下壳部，使缓冲环部的变形段受外力挤压变形且上导引段与下导引段相互靠近时，所产生的抵抗变形力，有效分担晶圆盒所承受的碰撞力，并达到缓冲、保护作用的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种缓冲器结构，其特征在于，包含：一上壳部，包含一上壳连接端、及至少一泄气孔；一下壳部，包含一下壳连接端；至少一缓冲环部，能够弹抵该上壳部与该下壳部且位于该上壳部与下壳部之间，并具有一连接该上壳连接端的上导引段、一连接该下壳连接端的下导引段、及一位于该上导引段与该下导引段之间的变形段；以及一缓冲气室，由该缓冲环部、该上壳部及该下壳部所围绕而成，并且连通该泄气孔，当该变形段受一外力挤压变形时，该上导引段与该下导引段相互靠近，该缓冲气室内的气体通过该泄气孔排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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