[发明专利]包括钙钛矿化合物的光电转换器件、其制造方法以及包括其的成像装置有效
申请号: | 201810208331.2 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN108630816B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 金勇哲 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
提供包括钙钛矿化合物的光电转换器件、其制造方法以及包括其的成像装置。所述光电转换器件包括:第一传导层;第二传导层;在所述第一传导层和所述第二传导层之间的光电转换层;在所述光电转换层和所述第一传导层之间的电子阻挡层;以及在所述光电转换层和所述第二传导层之间的空穴阻挡层,其中所述电子阻挡层包括由式1表示的第一钙钛矿化合物,和所述空穴阻挡层包括由式2表示的第二钙钛矿化合物,其中A |
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搜索关键词: | 包括 钙钛矿 化合物 光电 转换 器件 制造 方法 以及 成像 装置 | ||
【主权项】:
1.光电转换器件,包括:第一传导层;第二传导层;在所述第一传导层和所述第二传导层之间的光电转换层;在所述光电转换层和所述第一传导层之间的电子阻挡层;以及在所述光电转换层和所述第二传导层之间的空穴阻挡层,其中所述电子阻挡层包括由式1表示的第一钙钛矿化合物,和所述空穴阻挡层包括由式2表示的第二钙钛矿化合物:<式1>[A1][B1][X1(3‑n)Y1n]其中,在式1中,A1为至少一种单价有机阳离子、至少一种单价无机阳离子、或其任意组合,B1为至少一种二价无机阳离子,X1和Y1各自独立地为至少一种单价阴离子,和n为满足0≤n≤3的实数,以及<式2>[A2][B2][X2(3‑m)Y2m]其中,在式2中,A2为至少一种单价有机阳离子、至少一种单价无机阳离子、或其任意组合,B2为至少一种二价无机阳离子,X2和Y2各自独立地为至少一种单价阴离子,和m为满足0≤m≤3的实数。
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