[发明专利]包括钙钛矿化合物的光电转换器件、其制造方法以及包括其的成像装置有效

专利信息
申请号: 201810208331.2 申请日: 2018-03-14
公开(公告)号: CN108630816B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 金勇哲 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 金拟粲
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供包括钙钛矿化合物的光电转换器件、其制造方法以及包括其的成像装置。所述光电转换器件包括:第一传导层;第二传导层;在所述第一传导层和所述第二传导层之间的光电转换层;在所述光电转换层和所述第一传导层之间的电子阻挡层;以及在所述光电转换层和所述第二传导层之间的空穴阻挡层,其中所述电子阻挡层包括由式1表示的第一钙钛矿化合物,和所述空穴阻挡层包括由式2表示的第二钙钛矿化合物,其中A1、B1、X1、Y1、n、A2、B2、X2、Y2和m如说明书中定义的。式1[A1][B1][X1(3‑n)Y1n]式2[A2][B2][X2(3‑m)Y2m]。
搜索关键词: 包括 钙钛矿 化合物 光电 转换 器件 制造 方法 以及 成像 装置
【主权项】:
1.光电转换器件,包括:第一传导层;第二传导层;在所述第一传导层和所述第二传导层之间的光电转换层;在所述光电转换层和所述第一传导层之间的电子阻挡层;以及在所述光电转换层和所述第二传导层之间的空穴阻挡层,其中所述电子阻挡层包括由式1表示的第一钙钛矿化合物,和所述空穴阻挡层包括由式2表示的第二钙钛矿化合物:<式1>[A1][B1][X1(3‑n)Y1n]其中,在式1中,A1为至少一种单价有机阳离子、至少一种单价无机阳离子、或其任意组合,B1为至少一种二价无机阳离子,X1和Y1各自独立地为至少一种单价阴离子,和n为满足0≤n≤3的实数,以及<式2>[A2][B2][X2(3‑m)Y2m]其中,在式2中,A2为至少一种单价有机阳离子、至少一种单价无机阳离子、或其任意组合,B2为至少一种二价无机阳离子,X2和Y2各自独立地为至少一种单价阴离子,和m为满足0≤m≤3的实数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810208331.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top