[发明专利]基于结晶弛豫结构的固态发光器件在审
申请号: | 201810208997.8 | 申请日: | 2011-10-20 |
公开(公告)号: | CN108198749A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | A.R.巴肯恩德;M.A.维斯楚尤伦;G.伊明克 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L27/15;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/24 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孙之刚;陈岚 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明公开了一种用于制造具有多个光源的固态发光器件的方法,所述方法包括以下步骤:提供具有生长表面的衬底;在所述生长表面上提供掩模层,所述掩模层具有多个开口,通过所述多个开口,暴露所述生长表面,其中,所述开口中的每一个的最大横向尺寸小于0.3μm,以及其中,所述掩模层可以包括第一掩模层部分和第二掩模层部分,所述第一掩模层部分和所述第二掩模层部分具有相同表面积并包括多个开口,其中,所述第一掩模层部分展示出所述生长表面的暴露面积与所述生长表面的未暴露面积之间的第一比率,以及其中,所述第二掩模层部分展示出所述生长表面的暴露面积与所述生长表面的未暴露面积之间的第二比率,所述第二比率与所述第一比率不同;在所述掩模层的开口的每一个中,在所述生长表面上生长基底结构;以及在所述基底结构中的每一个的表面上生长至少一个光生成量子阱层。 | ||
搜索关键词: | 掩模层 生长表面 开口 暴露 固态发光器件 基底结构 量子阱层 生长基 衬底 弛豫 光源 展示 生长 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造具有多个光源的固态发光器件的方法,所述方法包括以下步骤:提供具有生长表面(204)的衬底(201);在所述生长表面上提供掩模层(205),所述掩模层具有多个开口(206),通过所述多个开口(206),暴露所述生长表面(204),其中,所述开口(206)中的每一个的最大横向尺寸小于0.3 μm,以及其中,所述掩模层(205)包括第一掩模层部分(302)和第二掩模层部分(303),所述第一掩模层部分(302)和所述第二掩模层部分(303)中的每一个包括暴露所述生长表面(204)的多个开口(206),其中,所述第一掩模层部分(302)展示出所述生长表面(204)的暴露面积与所述生长表面(204)的未暴露面积之间的第一比率,以及其中,所述第二掩模层部分(303)展示出所述生长表面(204)的暴露面积与所述生长表面(204)的未暴露面积之间的第二比率,所述第二比率大于所述第一比率;在所述掩模层(205)的所述开口(206)中的每一个中,在所述生长表面(204)上生长至少部分结晶弛豫的基底结构(207);以及在所述基底结构(207)中的每一个的表面上生长至少一个光生成量子阱层(208),其中,所述至少一个光生成量子阱层(208)对应于所述第一掩模层部分(302)的部分的厚度大于所述至少一个光生成量子阱层(208)对应于所述第二掩模层部分(303)的部分的厚度,其中,所述多个开口具有基本上相同的尺寸,以及其中,相邻开口之间的距离在所述第二掩模层部分(303)中比在所述第一掩模层部分(302)中更小,以及其中,所述多个开口(206)中的每一个开口具有多边形形状,其中,所述开口的至少一个边与所述生长表面(204)的结晶取向基本上平行地对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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