[发明专利]一种微纳模具型槽的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810209247.2 申请日: 2018-03-14
公开(公告)号: CN108439329A 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 闫焉服;杨文玲;王广欣;高志廷;傅山泓;吴丹凤 申请(专利权)人: 河南科技大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 代理人: 魏新培
地址: 471000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种微纳模具型槽的制备方法,包括镀膜步骤:在等离子体增强化学气相沉积镀膜机中,采用Si片作为基体材料,在基体材料表面沉积SiC膜层;光刻步骤:采用光刻工艺将掩膜的图形转移到SiC膜层上;刻蚀步骤:采用感应耦合等离子体刻蚀机在SiC膜层上刻蚀型槽。本发明制备的模具型槽,导热系数高、热膨胀系数小,耐火、耐磨性强,对氢氧化钾碱溶液和氟化氢酸溶液等腐蚀剂都有抗腐蚀作用。
搜索关键词: 模具型槽 膜层 制备 等离子体增强化学气相沉积 感应耦合等离子体刻蚀机 氟化氢酸溶液 基体材料表面 热膨胀系数 耐磨性 导热系数 镀膜步骤 光刻工艺 基体材料 刻蚀步骤 氢氧化钾 图形转移 腐蚀剂 镀膜机 碱溶液 抗腐蚀 刻蚀型 光刻 掩膜 沉积
【主权项】:
1.一种微纳模具型槽的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、镀膜:在等离子体增强化学气相沉积镀膜机中,采用Si片作为基体材料,在基体材料表面沉积SiC膜层;步骤二、光刻:采用光刻工艺将掩膜的图形转移到SiC膜层上;步骤三、刻蚀:采用感应耦合等离子体刻蚀机在SiC膜层上刻蚀型槽。
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