[发明专利]单晶硅的提拉方法

摘要

本发明提供一种单晶硅的提拉方法。输入石英坩埚的内径数据（R₁）及热屏蔽板（23）的下端与硅熔液（13）的液面之间的间隙的指定值。计算每单位时间提拉出的单晶（15）的体积，并根据石英坩埚的内径数据（R₁）及与每单位时间提拉出的单晶（15）的体积相当的硅熔液（13）的减少量（ΔMw）计算石英坩埚的上升量（ΔC）。测定使石英坩埚（12）上升之后的间隙并与间隙的指定值进行比较，当与间隙的指定值不一致时，校正石英坩埚（12）的上升量。根据该校正量计算石英坩埚的内径数据（R₂）。考虑计算出的内径数据（R₂）来校正石英坩埚的内径数据（R₁），根据已校正的石英坩埚的内径数据提拉单晶（15）。

主权项

1.一种单晶硅的提拉方法，其使用提拉装置将单晶硅提拉指定的长度，所述提拉装置具备：加热器，将填充于石英坩埚内的硅原料进行加热而熔融成硅熔液；热屏蔽板，将从所述硅熔液提拉的单晶硅与所述加热器的热量进行屏蔽；坩埚升降机构，使所述石英坩埚升降；及控制器，控制所述坩埚升降机构，所述单晶硅的提拉方法的特征在于，包括：（a）将在填充所述硅原料之前实际测得的石英坩埚的内径数据R₁及所述热屏蔽板的下端与所述硅熔液的液面之间的间隙的指定值输入至所述控制器的工序；（b）通过所述控制器计算每单位时间提拉出的单晶的体积的工序；（c）根据所述实际测得的石英坩埚的内径数据R₁及与所述每单位时间提拉出的单晶的体积相当的硅熔液的减少量ΔMw，并通过所述控制器计算石英坩埚的上升量ΔC的工序；（d）通过所述控制器控制所述坩埚上升机构而使所述石英坩埚上升坩埚的上升量ΔC的工序；（e）测定使所述石英坩埚上升之后的所述间隙并对该间隙的测定值与所述间隙的指定值进行比较的工序；（f）当所述间隙的测定值与所述间隙的指定值一致时，返回至所述工序（b）的工序；（g）当所述间隙的测定值与所述间隙的指定值不一致时，通过所述控制器来校正石英坩埚的上升量以使所述间隙成为指定值的工序；（h）校正所述坩埚的上升量时，通过所述控制器并根据该校正量计算所述石英坩埚的内径数据R₂的工序；（i）通过所述控制器并考虑所述工序（h）中计算出的内径数据R₂来校正所述工序（a）中输入的石英坩埚的内径数据R₁的工序；及（j）将工序（a）中输入的石英坩埚的内径数据R₁替换成所述工序（i）中已校正的石英坩埚的内径数据并返回至所述工序（b）的工序。