[发明专利]市电高压光控型驱动电路在审
| 申请号： | 201810209732.X | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110277932A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 卢育成;刘涛;罗峰;谢卓明 | 申请（专利权）人： | 日月元科技(深圳)有限公司;旭隼科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/155 | 分类号： | H02M7/155;H02M1/06;H02M3/158 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;刘瑞贤 |
| 地址： | 518126 广东省深圳市宝安区西乡街道107国*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种市电高压光控型驱动电路，是用于市电高电压大电流及市电突波的工作条件，该市电高压光控型驱动电路包括有一光控开关电路、一硅控整流器光控驱动电路及一主电路。该光控开关电路包括有一光控晶闸管组件及一第一开关组件相串联；该硅控整流器光控驱动电路中设有至少两个受控硅控整流器开关组件相串接且连接有多个二极管，并与该主电路相耦接。本发明提供一种有效地达成根据市电的电压来调整驱动电流能力的一种光控型驱动电路，同时可实现抗市电高压冲击的拓扑结构，以提高电路的整体效率；尤其是能应用于大功率的采用硅控整流器(SCR)作为开关器件的直流变换器，以提高其在轻载下的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅控整流器 驱动电路 光控 市电高压 市电 光控开关电路 光控驱动电路 主电路 光控晶闸管 直流变换器 二极管 第一开关 工作效率 开关器件 开关组件 驱动电流 拓扑结构 整体效率 大电流 电高压 高电压 有效地 串接 轻载 受控 突波 耦接 串联 电路 应用 | ||
【主权项】：
1.一种市电高压光控型驱动电路，其特征在于，运用于市电高电压大电流以及市电突波的工作条件，该市电高压光控型驱动电路包括有：一光控开关电路，包括有一光控晶闸管组件及一第一开关组件(Q1)，该光控开关电路输入有一驱动开关信号；该光控晶闸管组件与该第一开关组件(Q1)串联，该光控晶闸管组件有至少四个端；一硅控整流器光控驱动电路，其输入有一市电电源，并耦接于该光控开关电路，该硅控整流器光控驱动电路包括有：一第二受控硅控整流器开关组件(Q2)；一第三受控硅控整流器开关组件(Q3)，该第三受控硅控整流器开关组件(Q3)的阴极端耦接于该第二受控硅控整流器开关组件(Q2)的阳极端且耦接于该市电电源；一第一二极管(D1)，该第一二极管(D1)的阴极端耦接于该第二受控硅控整流器开关组件(Q2)的栅极端，该第一二极管(D1)的阳极端耦接于该光控晶闸管组件的第三端；一第二二极管(D2)，该第二二极管(D2)的阴极端耦接于该第三受控硅控整流器开关组件(Q3)的栅极端，该第二二极管(D2)的阳极端耦接于该第一二极管(D1)的阳极端；一第三二极管(D3)，该第三二极管(D3)的阴极端耦接于该第二受控硅控整流器开关组件(Q2)的阳极端，该第三二极管(D3)的阳极端耦接于该光控晶闸管组件的第四端；及一第四二极管(D4)，该第四二极管(D4)的阴极端耦接于该第三受控硅控整流器开关组件(Q3)的阳极端，该第四二极管(D4)的阳极端耦接于该第三二极管(D3)的阳极端；及一主电路，耦接于该硅控整流器光控驱动电路，该主电路设有一A端、一B端及一市电接地端；该主电路的A端耦接于该第二受控硅控整流器开关组件(Q2)的阴极端，该主电路的B端耦接于该第三受控硅控整流器开关组件(Q3)的阳极端。
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