[发明专利]一种动态随机存取存储器元件的熔丝结构有效
| 申请号： | 201810210023.3 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110277369B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 永井享浩 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种动态随机存取存储器元件的熔丝结构，其主要包含：一浅沟隔离设于基底内、一第一选择栅极设于基底内并设于浅沟隔离的一侧、一第二选择栅极设于该基底内并设于该浅沟隔离的另一侧以及一栅极结构设于浅沟隔离、第一选择栅极以及第二选择栅极上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 动态 随机存取存储器 元件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器元件的熔丝结构，其特征在于，包含：浅沟隔离，设于一基底内；第一选择栅极，设于该基底内并设于该浅沟隔离的一侧；第二选择栅极，设于该基底内并设于该浅沟隔离的另一侧；以及栅极结构，设于该浅沟隔离、该第一选择栅极以及该第二选择栅极上。
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