[发明专利]低发散角的超辐射发光二极管结构有效
| 申请号： | 201810211539.X | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108447954B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 郭文涛;谭满清;熊迪;赵亚利;曹营春;万丽丽;刘珩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/30;H01L33/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种低发散角的超辐射发光二极管结构，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底上；一无源波导芯层，其制作在缓冲层上；一空间层，其制作在无源波导芯层上；一应变量子阱结构，其制作在空间层上；一缓冲层，其制作在应变量子阱结构上；一电流阻挡层，其制作在应变量子阱结构上；一欧姆接触层，其制作在电流阻挡层的上面，形成基片；两个镀膜，其位于基片两端。本发明可以进一步降低器件的光限制因子，增大器件的等效横向光斑尺寸，降低器件的串联电阻和热阻，提高器件的电光转换效率，减少器件产生的废热，从而有效抑制器件热饱和。 | ||
| 搜索关键词： | 发散 辐射 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种低发散角的超辐射发光二极管结构，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底上；一无源波导芯层，其制作在缓冲层上；一空间层，其制作在无源波导芯层上；一应变量子阱结构，其制作在空间层上；一缓冲层，其制作在应变量子阱结构上；一电流阻挡层，其制作在应变量子阱结构上；一欧姆接触层，其制作在电流阻挡层的上面，形成基片；两个镀膜，其位于基片两端。
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