[发明专利]一种利用青霉菌磁性纳米复合材料降解阿特拉津的方法

摘要

本发明公开了一种利用青霉菌磁性纳米复合材料降解阿特拉津的方法。具体包括以下步骤：(1)纳米Fe3O4的制备；(2)青霉菌的驯化培养；(3)以海藻酸钠和聚乙烯醇为固定化材料，将培养后的青霉菌与纳米Fe3O4进行包埋处理；(4)将包埋后的青霉菌磁性纳米复合材料进行培养36～72h；(5)培养结束后，将此复合材料用于降解阿特拉津。本发明制备的青霉菌磁性纳米复合材料制作方法简单、经济，具有超顺磁性，不仅能快速降解阿特拉津，还能将复合材料从水中快速分离出并重复利用，是一种具有广泛应用前景的生物纳米复合材料。

主权项

1.一种利用青霉菌磁性纳米复合材料降解阿特拉津的方法，包括以下步骤：步骤1)磁性纳米Fe3O4的制备：称取FeCl3·6H2O 85kg和FeCl2·4H2O 30kg溶解到0.38m30.40mol/L的HCl溶液中，搅拌使其充分溶解。强烈机械搅拌条件下，将上述FeCl3、FeCl2酸性混合液加入到3.75m30.70mol/L氨水溶液中。机械搅拌30min后，静置沉淀，待其完全沉淀后倒出上清液，用超纯水洗涤，得到磁性纳米颗粒。将得到的磁性纳米颗粒分散于0.15m3超纯水中，取0.20m3该悬浮液，加入2.00m3正丙醇溶液中，超声20min。超声完成后，机械搅拌条件下依次加入聚乙二醇53.6kg、0.20m3超纯水和0.10m3氨水，室温下搅拌24h。待搅拌完成后，静置使其完全沉淀，用超纯水洗涤，4000rpm转速下离心分离5min，冷冻干燥24h；步骤2)青霉菌的驯化培养：青霉菌于25～30℃条件下在固体培养基中驯化培养30～50h；步骤3)青霉菌磁性纳米复合材料的制备：将15kg的纳米Fe3O4、0.1m320kg/m3海藻酸钠溶液和0.3m360kg/m3聚乙烯醇溶液混合均匀，再将其用紫外灭菌。在无菌的条件下，挑取步骤2)中培养后的青霉菌孢子置于生理盐水中，混合均匀之后取0.1m3加入到上述灭完菌的混合液中，再用注射泵在无菌的条件下逐滴地滴入到2％的CaCl2和饱和的硼酸混合溶液中，并在室温下放置3～6h；步骤4)青霉菌磁性纳米复合材料的培养：将步骤3)制备得到的青霉菌磁性纳米复合材料，用超纯水洗涤2～4次，再将其置于液体培养基中振荡培养36～72h；步骤5)将青霉菌磁性纳米复合材料用于降解阿特拉津：将步骤4)中培养后的青霉菌磁性纳米复合材料用超纯水洗涤2～4次，再将复合材料加入到含阿特拉津的废水中，处理5d，每隔24h取样检测阿特拉津的残余浓度。