[发明专利]沟槽金氧半导体元件在审
| 申请号： | 201810212670.8 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110034179A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种沟槽金氧半导体元件，包括基底与多个沟槽电极结构。基底具有多个沟槽，沟槽沿着第一方向延伸且沿着第二方向排列，且第一方向与第二方向相交。沟槽电极结构设置于沟槽中。每个沟槽电极结构包括下部电极、上部电极与第一介电层。下部电极设置于沟槽中。上部电极设置于沟槽中且位于下部电极上。上部电极具有面向下部电极的底面。上部电极在底面上具有沿着第一方向排列的多个凹陷部。第一介电层设置于上部电极与下部电极之间。上述沟槽金氧半导体元件可降低上部电极与相邻的掺杂区之间的寄生电容，而具有较快的反应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 上部电极 下部电极 金氧半导体元件 沟槽电极 方向排列 介电层 基底 方向延伸 寄生电容 结构设置 凹陷部 掺杂区 底面 相交 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽金氧半导体元件，其特征在于，包括：基底，其中所述基底具有多个沟槽，所述多个沟槽沿着第一方向延伸且沿着第二方向排列，且所述第一方向与所述第二方向相交；以及多个沟槽电极结构，设置于所述多个沟槽中，且每个沟槽电极结构包括：下部电极，设置于所述沟槽中；上部电极，设置于所述沟槽中且位于所述下部电极上，且具有面向所述下部电极的底面，其中所述上部电极在所述底面上具有沿着所述第一方向排列的多个凹陷部；以及第一介电层，设置于所述上部电极与所述下部电极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力祥半导体股份有限公司，未经力祥半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810212670.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
