[发明专利]用于制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201810213322.2 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108630756A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈志宏;陈科维;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造半导体器件的方法。在一个实施例中，该方法包括：执行自限制工艺以对晶片的上表面进行改性；在自限制工艺完成之后，从晶片移除经改性的上表面；以及重复执行自限制工艺并从晶片移除经改性的上表面，直到晶片的厚度减小到预定厚度为止。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 半导体器件 晶片移除 晶片 厚度减小 重复执行 改性 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：执行自限制工艺以对晶片的上表面进行改性；在所述自限制工艺完成之后，从所述晶片移除经改性的上表面；以及重复执行所述自限制工艺并从所述晶片移除所述经改性的上表面，直到所述晶片的厚度减小到预定厚度为止。
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